PG电子游戏官方网站3脚贴片元件丝印号与型号参数对照表(一)

　　PG电子游戏官方网站3脚贴片元件丝印号与型号参数对照表(一)资料图纸3脚贴片元件丝印号与型号参数对照表（一）景曙光说明：（1）由于元件丝印号由各生产厂家自行命名，且无统一命名规则，所以存在同一丝印号对应不同型号元件，或者不同厂家生产的同一型号元件对应不同丝印号的现象。(2)在二极管主要参数中，VF表示正向压降，IF表示正向电流，VRRM表示反向耐压，IFSM表示峰值瞬态浪涌电流，VBR表示击穿电压，IR表示反向漏电流最大值，VZ表示稳压二极管的稳压值，Iz表示稳压时的反向电流，Ptot表示稳压二极管的总功耗（25℃）。(3)在三极管主要参数中，Pcm表示集电极最大直流耗散功率，Icm表示集电极最大允许电流，Vcbo表示集电极与基极反向击穿电压，Vceo表示集...

　　资料图纸3脚贴片元件丝印号与型号参数对照表（一）景曙光说明：（1）由于元件丝印号由各生产厂家自行命名，且无统一命名规则，所以存在同一丝印号对应不同型号元件，或者不同厂家生产的同一型号元件对应不同丝印号的现象。(2)在二极管主要参数中，VF表示正向压降PG电子，IF表示正向电流，VRRM表示反向耐压，IFSM表示峰值瞬态浪涌电流PG电子，VBR表示击穿电压，IR表示反向漏电流最大值PG电子，VZ表示稳压二极管的稳压值，Iz表示稳压时的反向电流，Ptot表示稳压二极管的总功耗（25℃）。(3)在三极管主要参数中，Pcm表示集电极最大直流耗散功率，Icm表示集电极最大允许电流，Vcbo表示集电极与基极反向击穿电压，Vceo表示集电极与发射极反向击穿电压，Vebo表示发射极与基极反向击穿电压，f表示特征频率，hFE表示放大倍数。（4)在场效应管主要参数中，VDS表示漏源极击穿电压，ID表示漏源极最大直流电流，PD表示环境温度为25℃时的最大耗散功率，VGS表示最大栅源极电压，RDS(on)表示在外加一定的栅源电压（VGS)导通时漏源极间的最大阻抗。x表示产地：p代表香港，代表马来西亚，W代表中国丝印号外形图04W04型号BZX84-A11类别11V稳压二极管封装形式与结构简图SOT-233主要特点及参数VF=0.,Ptot=0.25W,Iz=5mA2SOT-233Pcm=0.625W,Icm=200mA,Vceo=40V,NPN型三极X04T04PMBS3904 ft=250MHz,hFE管100~400，通用开关三2 极管Vcbo=50V,VceoNPN型带阻 50V,Vebo=10V,X09 参见“×16”W1632X16二PDTC114EU SOT-323,见“x16三极管SOT-23NPN型带阻R1PDTC114ET三极管Icm=0.1A,Pcm=0.2W,R1=R2=10k23 Vcbo=50V,Vceo=50V,Vebo=10V,Icm=0.1A,Pcm=0.25W,R2R1=R2=10kQ246 Toata&ntormation