PG电子游戏功率器件：IGBT、MOS、SiC价格整体稳定部分料号有所上涨

　　PG电子游戏功率器件：IGBT、MOS、SiC价格整体稳定部分料号有所上涨根据正能量电子网显示的功率器件渠道报价，我们梳理了MOSFET等产品的主要海外厂商的价格情况。从MOSFET产品来看，中低压小信号MOSFET价格自21Q4下行以来，目前价格已经稳定。中高压MOSFET方面PG电子游戏官方网站，整体稳中有涨。例如，安森美150V的沟槽型产品价格保持稳定，而其500V的超级结产品价格继续保持高位。英飞凌的100V车规产品在5月环比4月有小幅上涨，显示车规需求仍较好。

　　我们选取600V、1200V各两款产品以跟踪IGBT单管目前的市场情况。从数据可以看出，进入Q2后IGBT单管价格保持稳定，其中1200V产品价格环比持平，而安森美和英飞凌的600V产品环比Q1仍有一定上涨。由于IGBT单管下游应用领域广泛，包括工业、光伏、充电桩、汽车等，所以预计在需求景气带动下，IGBT单管价格今年仍将保持在高位。

　　根据CASAResearch统计的半导体器件经销商网上平均报价（元/安培）来看，SiC肖特基二极管（SBD）以及SiCMOSFET器件近年来在逐步下降，其中650VSiCSBD报价在2018~2020年的复合降幅达到25%，而650VSiCMOSFET的复合降幅为32%。由于SiC器件价格的下降，其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。

　　高压SiC与硅基价差缩小更明显。根据元器件经销商Mouser的数据，我们选取了650V和1200V分别一款IGBT单管和SiCMOSFET产品价格进行对比。在650V产品上，SiCMOSFET产品的渠道报价是IGBT单管的3.8倍，而1200V产品上，SiCMOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.5倍，显示高压领域SiCMOSFET价格差距要更小一点PG电子游戏官方网站。根据CASAResearch的说法，SiC器件的实际成交价基本约为公开报价的60%-70%，所以我们预计SiC与硅基器件的实际成交价差距可能缩小至3倍以下。

　　投资建议：推荐关注受益于下游需求景气以及功率器件国产化加速的公司PG电子游戏官方网站，标的包括：宏微科技、士兰微、斯达半导、时代电气、新洁能、扬杰科技。