PG电子游戏国内第三代半导体厂商盘点

　　PG电子游戏国内第三代半导体厂商盘点美、日、欧等各国对此进行了积极的战略部署，英飞凌、罗姆、德仪半导体、意法半导体等国际厂商也纷纷开始在第三代半导体上有所动作，使得第三代半导体材料引发全球瞩目，并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点。加之，台积电、世界先进、稳懋、X-Fab、汉磊及环宇等一众台系代工厂参与到第三代半导体的发展，逐渐将第三代半导体推上了C位。

　　从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，但目前全球碳化硅市场基本被在国外企业所垄断。其中，尤以美国、欧洲、日本为大。美国居于领导地位，占有全球SiC产量的70%-80%；欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链；日本则是设备和模块开发方面的绝对领先者。

　　单晶衬底方面，国内衬底以4英寸为主PG电子，目前，已经开发出了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底。据CASA数据，山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能均已完成6英寸衬底的研发，中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。

　　2017年，山东天岳自主开发了全新的高纯半绝缘衬底材料，目前量产产品以4英寸为主，此外其4H导电型碳化硅衬底材料产品主要有2英寸、3英寸、4英寸及6英寸。山东天岳还独立自主开发了6英寸N型碳化硅衬底材料。

　　2018年11月13日，天岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。据悉，天岳碳化硅材料项目由山东天岳晶体材料有限公司开发建设，总投资30亿元，项目分两期建设，一期占地156亩，主要生产碳化硅导电衬底，预计年产值可达13亿元；二期主要生产功能器件，包括电力器件封装、模块及装置，新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等，预计年产值达50亿-60亿元，税收可达5亿-7亿元。

　　2017年7月，中科节能与青岛莱西市、国宏中晶签订合作协议，投资建设碳化硅长晶生产线亿元，项目分两期建设，一期投资约5亿元，预计2019年6月建成投产，建成后可年产5万片4英寸N型碳化硅晶体衬底片和5千片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片；二期投资约5亿元，建成后可年产5万片6英寸N型碳化硅晶体衬底片和5千片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。

　　外延片方面，国内瀚天天成、东莞天域半导体、国民技术子公司国民天成均可供应4-6英寸外延片，中电科13所、55所亦均有内部供应的外延片生产部门。

　　2017年8月15日，国民技术发布公告，公司全资子公司国民投资与成都邛崃市政府签署投资协议书，拟以不少于80亿元投建“国民天成化合物半导体生态产业园”，项目预计三年初具规模，五年实现产能。公司另拟通过国民投资出资5000万元，与陈亚平技术团队等合作设立成都国民天成化合物半导体有限公司，建设和运营6英寸第二代和第三代半导体集成电路外延片项目，项目首期投资4.5亿元。

　　器件/模块/IDM方面，我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺，还没有厂商涉及于此。但是在模块、器件制造环节我国已出现了一批优秀的企业，包括三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽、深圳基本、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体等。

　　泰科天润的基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，产品包含各种封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅模块等，其中600V/5A～50A、1200V/5A～50A和1700V/10A等系列的碳化硅肖特基二极管产品已投入批量生产。泰科天润已建成国内第一条碳化硅器件生产线V的电压范围。

　　深圳基本半导体有限公司（BASiC Semiconductor Ltd.）是中国第三代半导体行业领军企业，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。基本半导体整合海外创新技术与国内产业资源，对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各方面进行研发，覆盖产业链各个环节。基于独有的3D SiCTM技术，基本半导体碳化硅功率器件性能达到国际先进水平，可广泛应用于新能源发电、新能源汽车、轨道交通和智能电网等领域。

　　2016年，位于扬州市开发区的扬州国扬电子有限公司功率电子产业园项目，10月正式竣工投产。据了解，项目分三期实施，2014年投资约0.9亿元，用于建设碳化硅模块项目；2015—2016年投资约9.1亿元，用于建设碳化硅材料、碳化硅模块扩产及尺寸硅外延项目；2017—2018年投资约10亿元，用于建设大尺寸硅外延扩产项目和射频模块项目。

　　扬杰科技产品包括功率二极管、整流桥、肖特基二极管和mosfet。随着4寸线寸线年底满产，总营收基于出货量稳步提升保持35%的增长速度。2015年3月，扬杰科技与西安电子科技大学签约开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作；2015年4月，扬杰科技通过增资和股权转让方式取得国宇电子38.87%股权，与中国电子科技集团公司第五十五研究所在碳化硅芯片和模块产品方面建立紧密合作关系。2015年7月，扬杰科技募资1.5亿元用于碳化硅芯片、器件研发及产业化建设项目。

　　2018年5月，上海瞻芯电子称，公司制造的第一片国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆正式面世。据介绍，上海瞻芯电子于2017年10月上旬完成工艺流程、器件和版图设计，在10月至12月间完成初步工艺试验，并且从2017年12月开始正式流片，2018年5月成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成碳化硅MOSFET的制造流程。晶圆级测试结果表明，各项电学参数达到预期，为进一步完成工艺和器件设计的优化奠定了坚实基础。

　　据Yole预测，2016-2020年GaN射频器件市场将扩大至目前的2倍，市场复合年增长率（CAGR）将达到4%；2020年末，市场规模将扩大至目前的2.5倍。2019-2020年，5G网络的实施将接棒推动GaN市场增长。未来10年，GaN市场将有望超过30亿美元。

　　在GaN衬底方面，国内已经小批量生产2英寸衬底，具备4英寸衬底生产能力，并开发出6英寸衬底样品。国内可提供相关产品的企业有：纳维科技、中镓半导体。

　　氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6英寸氮化镓单晶材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。

　　外延环节国内主要的企业有苏州晶湛、江西晶能、大连芯冠科技、中晶半导体、耐威科技投资的聚能晶源等。

　　大连芯冠科技有限公司是一家由海外归国团队创立的半导体高科技企业。开展以氮化镓为代表的第三代半导体外延材料和电子器件的研发与产业化。

　　公司拥有国际先进的德国爱思强MOCVD外延炉及外延表征设备、6英寸化合物半导体芯片生产线、晶圆在片检测系统、可靠性测试系统和应用开发系统。在电力电子领域，公司已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片的量产，并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品，主要应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。在微波射频领域，公司已进行硅基氮化镓外延材料的开发，射频芯片的研发与产业化准备工作亦已展开，产品定位为10 GHz以下的射频通讯和射频能量市场。

　　中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。

　　2018 年，耐威科技先后投资设立了聚能晶源、青岛聚能创芯微电子有限公司，2018年12月聚能晶源成功研制了 8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了 650V/700V 高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求

　　器件/模块/IDM方面，英诺赛科、华润微、苏州能讯、江苏能华、士兰微、江苏华功半导体、三安集成、海威华芯均已进入布局。

　　2017年11月英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线年年中，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉，该项目总投资60亿，占地368亩，建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，填补我国高端半导体器件的产业空白。

　　英诺赛科CEO孙在亨表示，目前，在氮化镓的电子电力器件及射频器件，尤其是硅基氮化镓领域，我国还未能实现国产化。该项目的落地，就是要打破这样的局面、填补我国高端半导体器件的产业空白。同时，该项目也是该领域全球首个大型量产基地，单月满产可达6-8万片，为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供先进、高效、节能和低成本的核心电子元器件。

　　能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺PG电子、封装测试、可靠性与应用电路技术。能讯半导体在江苏昆山国家高新区建成了中国第一家氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。完成了面向5G通信系统的技术与产品的积累，产品性能已通过国际一流通讯企业的测试与认证。目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。

　　2018 EDICON China展会上，能讯半导体推出了780 Dual-Path封装的大功率射频功放管及各类解决方案，满足基站客户高频、宽带、高效的系统要求；尤其是效率高达60%的1.8GHz FDD Doherty 功放，领先同期主流LDMOS PA效率高达5% 以上。

　　江苏能华由国家“千人计划”专家朱廷刚博士创办，建设8条6英寸以上的外延片生产线和一条完整的功率器件工艺生产线，主要生产以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆及其功率器件、芯片和模块。

　　2016年，江苏能华参与了国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项，进行GaN基新型电力电子器件关键技术项目。

　　2018年10月，杭州士兰微电子股份有限公司厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线月，士兰微电子与厦门市海沧区人民政府签署了《战略合作框架协议》。士兰微电子公司与厦门半导体投资集团有限公司共同投资220亿元人民币，在厦门规划建设两条12英寸90～65nm的特色工艺芯片（功率半导体芯片及MEMS传感器）生产线英寸兼容先进化合物半导体器件（第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片）生产线。

　　江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月PG电子，在第三代半导体行业拥有雄厚的专家资源、优秀的人才队伍、长期的技术积累和丰富的产业化经验。

　　华功半导体的技术团队以北京大学、中山大学以及合作的高校产业化企业为核心，从2012年开始合作推动硅基氮化镓功率电子产业化，目前已攻克了相关材料与器件的产业化关键技术。

　　公司在2017年年报中表示，海威华芯技术研发团队的砷化镓制程研发方面IPD和PPA25产线试生产阶段良率达到预期水平，具备初步量产能力；氮化镓成功突破6英寸GaN晶圆键合技术；芯片产品开发方面，通用芯片、定制芯片、数字电路等开发设计超过120余款，包括滤波器、功分器、开关矩阵、耦合器等产品。

　　摩尔精英是领先的芯片设计加速器，愿景“让中国没有难做的芯片”，业务包括“芯片设计服务、供应链管理、人才服务、企业服务”，客户覆盖1500家芯片公司和50万工程师。我们致力于提供ASIC设计和Turnkey解决方案，从Spec/FPGA/算法到芯片交付，包括：芯片架构规划、IP选型、前端设计、DFT、验证、物理设计、版图、流片、封装和测试服务等。 自2012年以来，我们的团队一直专注于积累技术能力，帮助客户实现最优芯片性能，并支持Turnkey、NRE、专业咨询和驻场等灵活服务模式。 摩尔精英目前全球员工230人，总部位于上海，在北京、深圳、合肥、重庆、苏州、广州、成都、西安、南京、厦门、新竹和硅谷等地有分支机构。

　　请问怎么把开关量的信号读进电脑？请问怎么把开关量的信号读进电脑？请描述你的具体需求：1、数量；2、速度；3、···1、用PC并口自己读。需要用DirectIO库或者自己写驱动。2、用串口或USB加上单片机小板读。需要自己设计小板电路以及MCUfirmware。3、买采集卡读。贵就一个字。从远端到PC也就那么几个部分:一:远端检测(怎么识别开关量)二:通信链路(怎么让PC知道)三:PC上界面(PC上做什么样的响应)工业上一般用IO板，有各种接口的，USB，并口，串口，P

　　转自wangkj感觉cortex-m0比430有前途了。Martin.z不同的应用市场wangkj那不同？Martin.z低功耗wangkjcortex-m0也是低功耗。而且是一个级别的。lelee/mg还不都是低功耗么？Martin.z430更低.而且有些应用不需要32bitwangkj都是ua级的没区别。wangkj更低的是pic的。Martin.zM0,M3是MPU,而msp430是MCUwangkj所以，430完蛋了。

　　我们公司是做试验机的。研发就我一人。现在又遇到难题了。一个保压的问题试验机通过一个油缸压一种材料要把压力保持住压力大了，电机减速，少进油，甚至反转出一些油压力小了，电机加速，多进油现在压力值乱跳跳的我心烦各位大神，谁有什么好办法吗？谢谢试验机保压的问题现在压力值乱跳跳的我心烦想要压力值(应该是压强)不乱跳，增加储存高压液压油的油缸。估计你们公司不同意。 确实不同意。在液压回路上，装溢流阀，调节回流大小来实现。在液压回路

　　亲爱的朋友,我开了EVA的计时器T1,T2..用T1的下溢启动ADCT1的周期到中断....T1是增减模式,T2,是单调增模式现在的情况是:1.用断点看到的现象是:连续跑两次周期中断才进一次ADC中断2..我用机器周期看,也不是每个周期都能跑进周期中断和ADC中断....我用第一次进ADC中断CCS的那个CLOCK那个功能清零,再跑进第一次周期中断用了一个多周期,然后它连续着跑进第二个

　　usbhost组件成功加载的，另外usb打印机，massstorage也没问题，然后加载了hid之后添加了鼠标和键盘，鼠标可以用，可是键盘却不能识别。我在发出keybd_event函数的地方打印了调试信息，发现键盘上的几个附加功能键可以打出调试信息，而其他的键打不出来，但是都可以发出敲键盘的声音。不知道究竟出了问题，哪位大侠帮帮忙啊，第一次发贴，还请各位大侠多照顾啊usb键盘识别问题呃，修正一下，键盘不是不能识别，是连接之后敲键盘有声音但是字符没有打出来，感觉上usbhost应该没有