PG电子游戏半导体的电导率和迁移率关系式推导

　　PG电子游戏半导体的电导率和迁移率关系式推导其中，n是电子浓度，vd是电子的平均漂ห้องสมุดไป่ตู้速度（漂移运动：电子在电场力作用下的运动）

　　比较（1）和（3）式可知，随着电场强度增大，电子的平均漂移速度增大，表明平均漂移速度和电场强度成正比，于是，我们引入比例因子μ：

　　（1）公式（8）只适用于电场强度不太大的情况。因为，电场强度过高时PG电子游戏官方网站，电介质的电导不服从欧姆定律，即不服从公式（1）。

　　（2）μn和μp分别为电子迁移率和空穴迁移率，且μnμp。因为电子在导带中，他们是脱离了共价键，可以在半导体中自由运动；而空穴在价带中，空穴电流实际是共价键上的电子在价键间运动产生的电流。

　　电子在电场力作用下的运动比较1和3式可知随着电场强度增大电子的平均漂移速度增大表明平均漂移速度和电场强度成正比于是我们引入比例因子

　　对一段长为l，截面积为s，电阻率为ρ的均匀导体PG电子游戏官方网站PG电子游戏官方网站，若在其两端加电压V，则在导体内部各处形成电场E，如上图所示。