PG电子游戏官方网站一文读懂第三代半导体材料的特性、应用

　　PG电子游戏官方网站一文读懂第三代半导体材料的特性、应用SiC、GaN的电力电子器件市场在2016年正式形成。初步估计，2016年SiC电力电子市场规模在2.1亿-2.4亿美元之间PG电子，而GaN电力电子市场规模约在2000万-3000万美元之间，两者合计达2.3亿-2.7亿美元。而据IC insights数据，2016年全球功率半导体销售金额约124亿美元，意味着第三代半导体功率器件2016年的市场占有率已经达到2 %左右。

　　SiC、GaN在功率电子市场的前景看好。据Yole最新报告数据显示，2021年全球SiC市场规模将上涨到5.5亿美元，2016-2021年的复合年增长率（CAGR）将达到19%。而Yole同时预测，GaN功率器件在未来五年（2016-2021年）复合年增率将达到86%，市场将在2021年达到3亿美元。当然，SiC、GaN替代Si产品仍然为时甚早。据Lux研究公司数据，预计至2024年，第三代半导体功率电子的渗透率将达到13%，而Si产品仍将占据剩下的87%的市场份额。

　　据Yole预测，2016-2020年GaN射频器件市场将扩大至目前的2倍，市场复合年增长率（CAGR）将达到4%；2020年末，市场规模将扩大至目前的2.5倍。2015年，受益于中国LTE（4G）网络的大规模应用，带来无线基础设施市场的大幅增长，有力地刺激了GaN微波射频产业。2015年末，整个GaN射频市场规模接近3亿美元。2017-2018年，在无线基础设施及国防应用市场需求增长的推动下，GaN市场会进一步放大，但增速会较2015年有所放缓。2019-2020年，5G网络的实施将接棒推动GaN市场增长。未来10年，GaN市场将有望超过30亿美元。

　　随着技术进步，半导体照明的应用领域不断拓宽，市场规模不断增长。据美国产业研究机构Strategies Unlimited 2016年发布的报告显示，2015年，LED器件营收约147亿美元，预计2016年约152亿美元；2020年超过180亿美元。LED器件照明应用仍是主流应用，约占30%以上，并稳步增长；LED在汽车以及农业等应用逐年扩大。

　　近年来，LED照明产品的市场渗透率快速增长，特别是在新增销售量的渗透率有较快增长，但在已安装市场上，由于基数庞大，LED目前的（在用量）市场渗透率仍不高。IHS数据显示，2015年全球LED灯安装数量在整体照明产品在用量中的渗透率仅为6%，预计2022年将接近40%，LED全球照明市场仍具较大增长潜力。

　　在巨大优势和光明前景的刺激下，目前全球各国均在加大马力布局第三代半导体领域，但我国在宽禁带半导体产业化方面进度还比较缓慢，宽禁带半导体技术亟待突破。近日，投资50亿元的聚力成半导体（重庆）有限公司奠基，该项目有望突破我国第三代半导体器件在关键材料和制作技术方面的瓶颈。

　　“最大的瓶颈是原材料。”中科院半导体研究所研究员、中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长王晓亮认为，我国原材料的质量、制备问题亟待破解。此外，湖南大学应用物理系副教授曾健平也表示，目前我国对SiC晶元的制备尚为空缺，大多数设备靠国外进口。

　　“国内开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低PG电子，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始创新问题。”国家半导体照明工程研发及产业联盟一专家表示，国内新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利PG电子，难以容忍长期“只投入，不产出”的现状。

　　原始创新即从无到有的创新过程，其特点是投入大、周期长。以SiC为例，其具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，非常适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。然而生长SiC晶体难度很大，虽然经过了数十年的研究发展，到目前为止仍只有美国的Cree公司、德国的SiCrystal公司和日本的新日铁公司等少数几家公司掌握了SiC的生长技术，能够生产出较好的产品，但离真正的大规模产业化应用也还有较大的距离。因此，以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰，是实现产业化的一大桎梏。

　　“第三代半导体对我们国家未来产业会产生非常大的影响，其应用技术的研究比较关键，若相关配套技术及产品跟不上，第三代半导体的材料及器件的作用和效率可能会发挥不好，所以要全产业链协同发展。”中兴通讯副总裁晏文德表示。

　　北京大学宽禁带半导体研发中心沈波教授表示，当前我国发展第三代半导体面临的机遇非常好，因为过去十年，在半导体照明的驱动下，氮化镓无论是材料和器件成熟度都已经大大提高，但第三代半导体在电力电子器件、射频器件方面还有很长的路要走，市场和产

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　　狄增峰在实验室汤彦俊摄中新网上海11月26日电 题：青年科学家狄增峰：科研管理两不误 “半导体材料”寻发展作者 郑莹莹既是科学家，又是管理者，年近40岁的狄增峰有双重身份。他是中国科学院上海微系统所科研部部长，同时也是该所的半导体材料科研人员。半导体产业链相对长，从基础材料到制造工艺，再到系统应用这一长链中，狄增峰所研究的半导体材料是最基础、不太容易被关注的那端。他说，这块很难在短时间内“出彩”，显示度比较低，却是重要基础，所以科研人员一直坚持着。狄增峰出生于江苏南通，1994年，他考入当地一所知名中学；1997年，他被保送到学基础学科教学强化部。大学毕业后，他又被保送到中国科学院上海微系统所

　　第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度Eg2.3eV）的半导体材料。与第一二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2eV），亦被称为高温半导体材料。SiC 正凭借其优良的性能，在许多领域可以取代硅，打破硅基材料本身性能造成的许多局限性。SiC 将被广泛应用于光电子器件、电力电子器件等领域，以其优异的半导体性能在各个现代技术领域发挥

　　2018年11月7-8日，第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会在上海召开，由泰克公司携手复旦大学，联合学、中科院上海技术物理研究所、中国科学院纳米中心共同举办。本届会议旨在加强全国各相关领域研究队伍的交流、提供学术界与产业界相互分享最新研究成果的机会，推动我国先进电子材料与器件的发展，促进杰出青年科学家的迅速成长和协同创新。会议同时邀请到了中国科学院院士、西安电子科技大学副校长郝跃，国家自然基金委、复旦大学、中国科学院上海技术物理研究所、中国科学院上海微系统所、学、清华大学、西安电子科技大学、中科院苏州纳米所、南京工业大学、北京大学、湖南大学、山西师范大学等众多专家学者。各位专家聚焦于当前半导体材料

　　集微网消息，今日，半导体材料厂崇越科技公布10月份合并营收为25.56亿元新台币，年成长23.99%；累计1到10月合并营收为240亿元新台币，年增加23.07%。崇越科技第3季营收达74.62亿元新台币，单季归属母公司税后净利润4.11亿元新台币，季增24%、年增近3成，创获利单季历史新高。 前3季营收达214.46亿元新台币，年增逾23%，每股盈余达5.55元新台币，接近去年全年5.98元新台币。 第4季向来为半导体传统淡季，但受惠两岸晶圆代工厂投片满载，带动硅晶圆等先进材料需求仍强，崇越科技10月半导体材料销售相较

　　日前，日立化成（Hitachi Chemical）股价周一早盘大跌逾14%，此前据媒体报道，该公司在对半导体使用的一种材料的检查过程中存在造假行为。当地媒体周末报道称，日立化成向其客户通报了对用于保护半导体芯片不受划痕和碎片影响的材料的检查不当行为。芯片制造商东芝记忆体(TMC)周一表示，公司已检查了使用日立化成所产元件的产品，并未发现质量问题。该公司在9月底曾被告知日立化成有检验不当情况。该公司周六发表声明称，一个外部专家组成的委员会正在调查这一问题，将在收到该委员会的调查报告后即刻宣布调查结果。据了解，环氧树脂密封材枓主要用来保护半导体晶片免受到光、热、湿气和物理冲击等影响，而造假测试数据恐将缩短半导体的使用寿命。根据野村证券

　　太阳能电池以及可穿戴式计算机和传感器等。10月8日，该技术相关的详细信息发表在《Nature Materials》期刊上。该项研究得到了美国国防高级研究计划局、能源部、美国空军实验室、LG 电子、Amore Pacific、LAM Research 以及 ADI 公司的部分支持。可见、又不可见的石墨烯？2017 年，Kim 团队发明了一种利用石墨烯（只有一个原子厚, 碳原子组成六角型呈蜂巢晶格），“复制”昂贵半导体材料的方法。他们发现，把石墨烯堆叠在纯净且昂贵的半导体材料晶片上（比如砷化镓），镓、砷原子会“涌出”到石墨烯层上继续生长。它们似乎与石墨烯层下面的原子层相互作用，就好像中间的石墨烯是隐形的、透明的。结果，石墨烯上层的这些原子

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